OpenAI首席运营官Brad Lightcap日前公开表示，存储芯片短缺已取代电力供应紧张，成为当前AI基础设施扩张的首要制约因素。
这一表态与SK海力士会长崔泰源的预警形成呼应——后者预计全球存储芯片短缺将持续至2030年前后，行业晶圆供应缺口超过20%。
3月24日，在华盛顿举行的Hill and Valley Forum论坛上，Lightcap直言："现在的瓶颈是存储，过去是电力。"这句话将过去两年业界对数据中心能源供应的焦虑，迅速转移到了存储芯片的供应安全上。
过去两年，微软与星座能源签下20年核电协议，谷歌大规模投资风电场，亚马逊在清洁能源领域持续布局，能源被视为AI扩张的主要瓶颈。但Lightcap的判断标志着这一认知的转变——存储芯片短缺已成为更紧迫的现实障碍。
OpenAI等AI公司持续大规模采购英伟达AI加速器，每块加速器配备大量存储芯片，正在吞噬全球存储产能，而存储供应商的产能扩张明显滞后于需求增长。
供需失衡的数据正在印证这一判断。
野村证券最新预测显示，2026年第二季度大宗DRAM和NAND价格将环比分别上涨51%和50%，较此前预测的6%和20%大幅上调。
AI服务器对存储的需求显著高于传统服务器：DRAM容量需求是传统服务器的3-5倍，NAND闪存需求更是达到12倍以上。
供应端的紧张态势更为直观。
美光科技（Micron）最新发布的FY2026 Q2财报（截至2026年2月26日）显示，公司营收达到238.6亿美元，同比增长196.3%，环比增长74.9%；非GAAP毛利率升至74.9%。
更关键的是，美光管理层确认，2026年全年HBM产能已售罄，全部通过不可取消的长期协议锁定，供应紧缺态势预计至少维持到2027年。公司已签下首个5年期长期协议客户。
SK海力士会长崔泰源的判断更为悲观。他在英伟达GTC大会上表示，扩充晶圆产能需要4-5年时间，主要存储厂商难以在2030年前完全满足市场需求。这意味着当前的供需缺口不是短期波动，而是一个长达五年的结构性短缺。
产能瓶颈的根源在于HBM（高带宽内存）的生产复杂性。
每颗HBM芯片由12-16层（即将升级到20层）DRAM裸芯片堆叠而成，通过数千个硅通孔（TSV）精准对位连接。HBM消耗的晶圆产能是标准DRAM的3倍以上。
此外，半导体级洁净室建设周期长达数年，单厂建筑投入20-30亿美元。即便三星、SK海力士、美光三大巨头同时扩产，新增产能最早也要到2027年下半年才能释放。
行业对HBM的过度聚焦正在引发连锁反应。
崔泰源明确警告，SK海力士、三星和美光已将相当比例产能转向HBM，导致传统DRAM产出下滑。三大存储厂将80%以上产能转向HBM和DDR5等高毛利产品，消费级DRAM产能被挤压。
市场价格数据显示，256G DDR5服务器内存条单价已突破4万元，消费级DRAM价格2025年Q4涨幅超40%，2026年第一季度一般型DRAM合约价环比上涨55%-60%。
供应短缺正在推动存储行业商业模式的根本转变。
存储厂商与客户正积极签订长期协议（LTA），包含预付款、容量保证和定价方案等条款，行业从"现货驱动"向"长期规划驱动"转变。
OpenAI此前已承诺在未来数年内投入1.4万亿美元用于数据中心建设与芯片采购，并与三星、SK海力士签署长期协议锁定至2029年的HBM产能。
值得注意的是，存储成为首要瓶颈并不意味着能源问题已经解决。
Lightcap强调，能源供应压力并未消退，OpenAI正考虑引入包括核能在内的多元化电力来源，并透露公司正与核聚变初创企业Helion Energy洽谈合作。
这种“双重制约”构成了AI产业的新现实：存储决定了短期内算力芯片的产出上限，而能源则决定了这些芯片最终能否被部署并运行。
Lightcap还指出，政府在能源供应方面的投入对于AI行业的成功"至关重要"。
这意味着当存储瓶颈缓解之后，电力供应仍将是制约AI算力持续扩张的关键因素。
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